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    產品特點：

    適用于AL2 O 3 、AIN材料

    耐高溫、高導熱、氣密性好、高強度、低膨脹系數、優良的高頻特性、高可靠性

    高至110GHz 射頻設計、測試能力，可靠性設計

    應用：

     SIP、光通信、MEMS芯片、FPGA封裝、CMOS圖形傳感器封裝、車載、宇航等高可靠性芯片封裝、毫米波HTCC基板

    • 主要參數

    Category

    類別

    Item

    項目

    Mark

    標記

    Standard value

    標準設計值

    (mm)

    Public Errand

    公差

    (mm)

    Special values

    特殊設計值

    (mm)

    Public Erran

     公差

    (mm)

    結構長度X5-75±1%2-100±0.5%
    寬度Y5-75±1%2-100±0.5%
    瓷體厚度Z0.8-5.5±3%0.2-0.8±0.03
    單層厚度（1）A0.1/0.15/0.2/0.25/0.3±0.02按客戶定義±0.01
    開腔距離瓷體外邊緣距離B≥3*ФC///
    互聯孔金屬化實心孔直徑ФC
    		≥0.15
                 
    		±0.015≥0.1
                 
    		±0.01
    孔與孔的中心距D≥3*ФC/≥2*ФC/
    孔至瓷體邊緣距離E≥3*ФC///
    孔帽直徑ФF≥ФC+0.05/≥ФC+0.02/
    金屬化半孔直徑ФG0.4-0.6/0.3-4.0/
    金屬化半孔中心距I≥3*ФG///
    上下層孔錯位距離J/±0.02/±0.015
    金屬化金屬化線寬K≥0.1
               
    		±0.02≥0.05±0.015
    金屬化線間距L≥0.1±0.02≥0.05±0.015
    金屬化線條至瓷體外邊緣距離M≥0.2/0/
    金屬化線條至瓷體內邊緣距離O≥0.2/0/
    內接地層至瓷體開腔邊緣距離P≥0.1/0/
    外接地層至瓷體外邊緣距離R≥0.1/0/
    金屬化柵格線寬S0.2/0/
    柵格線距T0.4/0/
    孔柵間距U≥0.25/≥0.2/

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